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일본의 삼성 국제 연구 그룹, 라이스 대학교, Aichisan University, Lais University, Samsung Electronics, Samsung International Research Group은 실리콘 크리스탈 조각에 삽입되는 실리콘 크리스탈 조각의 PN Junction을 보여주고 6 월 20 일 오후 3 월 20 일 (일본 시간) Springer Nature Publish에서 PN 통합 깊이의 비접촉식 해외 해외 슬롯사이트사이트없이 큰 빛의 파도를 생산합니다빛 : 해외 슬롯사이트 및 응용"게시 우리는 방사능 많은 양의 파도를 방출하는 PN 교차점에 대한 관련 컴파일 모델을 제출하고 전기적으로 연결된 전기 장치의 포괄적 인 범위를 제공하고, 전극 막과 같은 내부 전극과 얕은 PN 교차점의 깊이 근처에 우리는 비율을 형성 할 수 있습니다 쌀
기술은 3 개의 주요 LSI 및 기타 고급 반도체 장비의 개발을 지원하는 해외 슬롯사이트 기술이며 반도체 시스템의 개발에 대한 포괄적 인 솔루션이며 거대한 제품이 될 것으로 예상됩니다
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텍스트 이름 : Terahertz 방출 분광법을 사용하여 SI 웨이버에 내장 된 해외 슬롯사이트 접합 깊이의 비접촉 및 나노 미터 규모 측정
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