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단일 벽 어메이징 슬롯 주소 나노 튜브의 산성층은 음이온 불순물의 감금을 용이하게합니다

2022 년 10 월 21 일

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최근 기사에서 2022 년 9 월 16 일에 어메이징 슬롯 주소으로 제공되어 629 권 B에 게시콜로이드 및 인터페이스 어메이징 슬롯 주소 저널, 연구원들은 단일 벽 어메이징 슬롯 주소 나노 튜브 (SWCNT)의 원통형 기공에 의한 질산염 이온의 부가 흡수를 조사하기 위해 라만 분광 도구를 사용하여 보고서를보고합니다. Ohkubo 박사와 그의 동료들은 기공 벽 근처의 산성 층 형성 메커니즘을 해독하는 데 성공했습니다. 이온을 함유하는 수용액이 어메이징 슬롯 주소 물질에 침투 할 때, 수용액이 중성이더라도, 안정적인 상태를 유지하는 산성 수성 층이 형성된다는 것이 밝혀졌다. Ohkubo 박사는 자신의 작품의 참신과 근본적인 특성에 대해 언급하면서“현재까지, 어메이징 슬롯 주소 재료의 나노 튜브 내에 형성된 산성 부가 층의 존재를 보여주는 보고서는 없었다.”

5417_6313“기공의 산성 층은 기공에 의한 강한 감금과 층과 음어메이징 슬롯 주소 사이의 강한 상호 작용으로 인해 질산염 음어메이징 슬롯 주소 종을 강력하게 흡수 할 수 있습니다.”

발견은 실제로 이온 흡착 및 물과 공기의 정제에 적합한 어메이징 슬롯 주소 나노 튜브 설계 및 개발을위한 중요한 단계입니다. 이 연구에 제시된 정제 메커니즘은 지금까지 수성 용액 매체의 알칼리성을 설명하는 새로운 모델이며, 지금까지 미스터리였다. 연구원들은 이온 불순물이 어메이징 슬롯 주소 재료에 의해 갇히게 될 때 사용하기 전에 그들의 연구 결과가 사용하기 전에 물의 필요성을 강력하게 지적한다는 것을 관찰했다. 이 연구의 또 다른 놀라운 기여는 나노 물질 계면이 새로운 화학 반응 분야이며, 이는 추가 실험을 안내 할 수 있다는 데모입니다. 종합하면,이 연구는 어메이징 슬롯 주소에 의한 음이온 흡착 메커니즘을 다음 단계로 이해하여 새로운 어메이징 슬롯 주소 나노 튜브를 효율적인 정화기로 만들어냅니다.

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참조 :
단일 벽 어메이징 슬롯 주소 나노 튜브의 원통형 구멍에서 음이온의 산성 층 강화 나노 컨 피닝
어메이징 슬롯 주소 :콜로이드 및 인터페이스 어메이징 슬롯 주소 저널
doi : 10.1016/j.jcis.2022.09.070

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DR. Takahiro Ohkubo는 Okalama University의 자연 과학 기술 대학원 화학과의 부교수입니다. 그는 나노 결합 시스템, 나노 구조 (클러스터 및 작은 입자), 다공성 물질, 표면 과학 및 어메이징 슬롯 주소 기반 재료의 구조 및 특성을 포함한 주제에 대한 적극적인 연구에 참여하고 있습니다. Dr. Ohkubo는 '어메이징 슬롯 주소, 과학 학부 교육 교육 학위상'(2017) 및 '일본 화학 학회의 콜로이드 및 인터페이스 화학 부서 (2012)의 젊은 연구원상'을 포함하여 학업 경력에서 여러 상을 수상했습니다. 그는 자신의 연구 분야에 크게 기여한 100 개가 넘는 기사를 저술했습니다.

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