철 기반 아리스 토크 랏 슬롯의 고온 아리스 토크 랏 슬롯를 실현하기위한 배경을 풀기

핵 자기 공명 (NMR) (주 2)이 고온 초전도체의 발생 뒤에있는 전자 상태가 산화 구리 고온 초전도체의 발생과 유사하다는 것을 명확히하기 위해 사용되었다. 철 기반 고온 초전도는 2008 년 도쿄 기술 연구소 및 기타 연구소의 Hosono Hideo 교수에 의해 발견되었습니다. 현재까지, 구리 산화 구리 고온 초전도체 후 두 번째로 높은 55 켈빈 (마이너스 218 ° C)의 초전도 전이 온도가있는 재료가 발견되었으며, 전 세계의 연구자들은 현재 실내 온도 초전도를 달성하기 위해 재료 개발을 위해 싸우고 있습니다. 그러나, 고품질 시편 준비 기술은 아직 확립되지 않았으며, 지금까지 원소 치환으로 인한 초전도 전이 온도가 어떻게 변하는 지 (전자 위상 다이어그램 참고 3) 또는 초전도성이 어떻게 실현되는지는 명확하지 않았다. 따라서, 아리스 토크 랏 슬롯 아리스 토크 랏 슬롯 토크 랏 슬롯 랏 아리스 토크 랏 슬롯 아리스 토크 랏 슬롯 토크 랏 슬롯 랏 아리스 토크 랏 슬롯 아리스 토크 랏 슬롯 토크 랏 슬롯 랏 아리스 토크 랏 슬롯 아리스 토크 랏 슬롯 토크 랏 슬롯 랏 슬롯의 연구 그룹은 현재 세계 최고 품질의 샘플을 사용하여 상세한 실험을 수행하여 철저한 초전도체의 전자 상 다이어그램과 고온 초전도성을 달성하기위한 배경이 처음으로 산화 구리 고온 초전조 자와 유사하다는 것을 보여줍니다. 특히, 전자-함유 자기가 초전도성에 유리한 것으로 밝혀진다는 것이 다음과 같은 관점에서 주목할 만하다. 1) 이것은 철기 기반 초전도체의 향후 개발을위한 지표 역할을 할 것입니다. 2) 철계 초전도성의 전이 온도가 향후 더 증가 할 수 있음을 보여줍니다. 미래에는 고온 초전도를 이해하고 더 높은 전이 온도로 초전도성을 개발하는 데 극적인 진전이있을 것으로 예상됩니다.
이 연구 결과는 그의 감독자 인 Zheng kuniyoshi (기저도 물리학)의지도하에 Oka Toshihide, Oka Toshihide의 대학원생 인 Oka Toshihide의지도하에 핵 자기 공명 실험의 결과였다. 실험에 사용 된 고순도 란타늄 철분 비소 산화염 고온 아리스 토크 랏 슬롯체는 중국 과학 연구소 (Institute of Chinese Academy of Sciences)의 물리 연구소의 크리스탈 성장 그룹에 의해 성장하고 제공되었습니다.